闪存也是易失的吗？

[caizixian]

前几天看到有V友在 /t/151907 谈到闪存长时间不通电数据会丢失。
如果是这样的话，那使用U盘备份的数据不是很不靠谱。
真的是这样吗？原理是什么？

[Ge4Los]

是说的nand flash 么, 我记得这玩意是会坏块, 可一般的存储芯片都会对坏块做管理
U盘容量那么小, 不适合用来备份数据吧

[yfdyh000]

http://ph988.com/post/20140219160.html
http://bbs.pceva.com.cn/thread-68128-1-1.html
https://communities.intel.com/message/95107

似乎长期保存是易失的，跟贮存温度和芯片品质等相关，数月（低品质？）或数年，部分产品称超过10年（flash Data Retention years）。

[ryd994]

怎么说呢，不易，但也不难。
NAND存数据就是靠隧穿进去的电荷而已，等同一个个电容，时间长了就没了。像MLC TLC还有不准然后数据错的情况。
不过准确的说即使时常通电也没用，除非写，否则是无法补充电荷的。

主要看flash制造的技术水平。阱做得好就时间长，
SLC比MLC时间长，
温度低时间长

[negation]

看类型，看工艺，看制程，还有擦写次数～
不绝对，需要综合考虑
SLC优于MLC优于TLC
制程越大保存时限越长
擦写次数越多保存时限越短
十年前的SLC达到设计寿命时正常应该能撑十年
五年前的MLC达到设计寿命时正常应该能撑五年
目前的TLC达到设计寿命时应该能撑一到三年

所谓的设计寿命并不是达到这个数字后闪存很有可能不能用，而是闪存保存的数据很可能无法在规定的时间后顺利取出。

实际读写超过设计寿命后，大部分的闪存还是可用的，但是能保持数据正确的时间会越来越短。只写入过几次的TLC正常也能撑好几年。

一般的通电并不会延长数据保存时限，延长数据保持时间的方法只有重新写一遍。

[negation]

目前生产的SLC和MLC基本都是为速度和成本优化的，都是小制程，保存数据的能力并不比TLC好多少。例如普通型号25nm的MLC，镁光和英特尔规格书给出的寿命是3000PE。十万以上的擦写以后还能存十年的只有那些微米级的SLC了

[caizixian]

@Ge4Los
@yfdyh000
@ryd994
@negation 这儿有篇不错的回答

[mhycy]

所有非磁性记录设备都不适合备份.
原因是电子器件一旦损坏连数据恢复的机会都不存在
而磁性介质至少还有开盘修复这一可能性.

所以固态储存设备还是做缓存/系统盘好了

[polarwolf]

备份数据要依照所需要的安全级别来考虑

长期不仅对备份设备方案有要求，对存放环境也是有很大要求的，所以说看具体需求和可用预算选择合适的方案就好了～

[Halry]

刻石头，刻钻石吧，最可靠。
nand还可以的，放1-2年（slc），然后取出后再写入就可以。mlc就不一定了，tlc一个月就没了（is916+sandisk tlc，一个月后有错误，还能纠正，放多几个月就没了吧）