带隙（能带间隙）：固体（尤其是半导体、绝缘体）中价带与导带之间的能量差。带隙大小决定材料的导电性与光学性质（如吸收/发光波长）。
/ˈbændɡæp/
The bandgap of silicon is about 1.12 eV at room temperature.
硅在室温下的带隙大约是 1.12 电子伏特。
By engineering the bandgap through alloying and strain, researchers can tune a semiconductor’s absorption edge for specific optoelectronic devices.
通过合金化与应变来调控带隙，研究人员可以调整半导体的吸收边，以适配特定的光电器件。
bandgap 由 band（能带）+ gap（间隙）构成，是固体物理与半导体物理中的合成词，用来描述材料能带结构中“允许能级连续分布的区域（能带）”之间的“禁止能级区域（间隙）”。
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