Band Alignment

释义 Definition

能带对齐：在半导体或绝缘体的界面（如异质结、金属/半导体接触）处，不同材料的导带底（CBM）与价带顶（VBM）相对能量位置如何排列的关系。它决定电子/空穴的势垒高度与载流子在界面处的传输与复合行为。（在具体语境中也常指“能带偏移/带阶”）

例句 Examples

The band alignment determines whether electrons can cross the interface easily.
能带对齐决定电子是否能容易跨越界面。

Accurate band alignment at the heterojunction is crucial for predicting carrier confinement and improving device performance.
在异质结处准确的能带对齐对预测载流子限域并提升器件性能至关重要。

发音 Pronunciation (IPA)

/bænd əˈlaɪnmənt/

词源 Etymology

band 原义是“带、条带”，在固体物理中引申为“能带”（电子在晶体中允许的能量范围）；alignment 来自 “align（对齐）+ -ment（名词后缀）”，表示“对齐、排列方式”。“band alignment（能带对齐）”作为术语主要形成并普及于20世纪固体物理与半导体异质结构研究中，用于描述不同材料接触时能带边缘的相对位置与偏移。

相关词 Related Words

• Bandgap
• Heterojunction
• Conduction Band
• Valence Band
• Fermi Level
• Work Function
• Electron Affinity
• Schottky Barrier
• Band Offset
• Semiconductor

文学与著作 Literary Works

• Physics of Semiconductor Devices（S. M. Sze & Kwok K. Ng）——讨论异质结、势垒与界面能带示意时常涉及能带对齐。
• Semiconductor Devices: Physics and Technology（S. M. Sze）——以器件物理角度介绍能带与界面能量排列。
• Solid State Electronic Devices（Ben G. Streetman & Sanjay Banerjee）——在异质结与结型器件章节中常用到能带对齐/能带图。
• Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties（Peter Y. Yu & Manuel Cardona）——从材料与能带结构出发讨论能带边缘与界面相关概念。
• Anderson, R. L. (1962), “Experiments on Ge–GaAs Heterojunctions”——经典异质结研究，相关讨论常被引用来说明能带对齐（Anderson 模型）。