Direct Bandgap

释义 Definition

直接带隙：指半导体材料中，电子从导带最低点回到价带最高点时，动量（波矢）不需要改变，因此可以直接辐射出光子完成复合。直接带隙材料通常更适合做 LED、激光器 等发光器件。（也常与 indirect bandgap“间接带隙”对比。）

发音 Pronunciation (IPA)

/dəˈrɛkt ˈbændɡæp/

例句 Examples

Silicon is not a direct bandgap semiconductor.
硅不是直接带隙半导体。

GaAs has a direct bandgap, so it can efficiently emit light when electrons recombine with holes.
砷化镓（GaAs）具有直接带隙，因此当电子与空穴复合时可以高效发光。

词源 Etymology

该术语由两部分构成：direct（“直接的”）+ bandgap（“能带间隙/带隙”，指价带与导带之间的能量差）。在固体物理与半导体物理中，用“direct/indirect”来描述电子跃迁时是否需要借助晶格振动（声子）来满足动量守恒：不需要声子辅助的称为 direct bandgap（直接带隙），需要声子辅助的称为 indirect bandgap（间接带隙）。

相关词 Related Words

• Bandgap
• Indirect Bandgap
• Semiconductor
• Conduction Band
• Valence Band
• Photon
• Recombination
• LED
• Laser Diode

文学与著作中的用例 Literary / Notable Works

• Semiconductor Physics and Devices（Donald A. Neamen）：在讨论发光机理与材料选择时对 direct bandgap 与 indirect bandgap 进行对比说明。
• Physics of Semiconductor Devices（S. M. Sze, Kwok K. Ng）：在器件发光与辐射复合章节中使用 direct bandgap 解释高效率发光材料的条件。
• Introduction to Solid State Physics（Charles Kittel）：在能带与光学跃迁相关内容中涉及直接/间接跃迁概念（常与直接带隙材料的光学性质联系）。