Electromigration（电迁移）：在高电流密度条件下，导体（常见为金属互连线，如铜/铝）中的金属原子在电子“冲击”与动量传递作用下发生定向迁移的现象，可能导致材料中形成空洞（void）或堆积（hillock），从而引发开路、短路等失效。该词在微电子与材料可靠性领域最常见。（也可泛指电场/电流驱动的物质迁移现象，但以芯片互连语境最常用。）
/ɪˌlɛktroʊmaɪˈɡreɪʃən/
Electromigration can damage thin wires over time.
电迁移会随着时间推移损坏细金属导线。
As transistor sizes shrink, managing electromigration in on-chip interconnects becomes critical to long-term reliability.
随着晶体管尺寸不断缩小，控制芯片内部互连线中的电迁移对长期可靠性变得至关重要。
由 **electro-**（“电的、与电有关的”，来自希腊语 ēlektron，意为“琥珀”，因古人观察到琥珀摩擦生电）+ migration（“迁移”，来自拉丁语 migrāre“移动、迁徙”）组合而成，字面意思就是“在电的作用下发生迁移”。
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