electron mobility(电子迁移率):指电子在材料中受到电场作用时移动的“容易程度”,通常用 μ 表示。迁移率越高,电子在相同电场下漂移得越快;它受温度、杂质/缺陷、晶格振动(声子散射)等因素影响。该术语主要用于半导体与凝聚态物理中。(在某些语境也可泛指“载流子迁移率”的一种。)
/ɪˈlɛktrɑn moʊˈbɪləti/
Electron mobility is higher in pure silicon than in heavily doped silicon.
在高纯硅中,电子迁移率比在重掺杂硅中更高。
As temperature rises, electron mobility often decreases because scattering becomes more frequent.
随着温度升高,电子迁移率常常降低,因为散射变得更频繁。
electron 来自希腊语 ēlektron(“琥珀”),早期人们观察到琥珀摩擦后会产生静电现象,后来“电子”这一概念沿用该词根。mobility 源自拉丁语 mobilis(“可移动的”),表示“运动/移动的能力”。合在一起,electron mobility 字面义即“电子的移动能力”,在物理学中具体化为电场下的传输参数。