Schottky Junction

释义 Definition

肖特基结（Schottky junction）：指金属与半导体接触形成的结区，通常表现为整流特性（多数载流子器件），其势垒称为肖特基势垒（Schottky barrier）。在器件中常见于肖特基二极管与某些高速/射频电路。
（注：在一些语境中也会说 Schottky contact，含义非常接近。）

发音 Pronunciation (IPA)

/ˈʃɑːtki/ /ˈdʒʌŋkʃən/

例句 Examples

A Schottky junction can switch faster than a typical p-n junction diode.
肖特基结的开关速度通常比一般的 p-n 结二极管更快。

In a Schottky junction, the barrier height depends on the metal’s work function and the semiconductor’s properties, affecting the I–V curve.
在肖特基结中，势垒高度取决于金属的功函数与半导体材料特性，从而影响其电流—电压（I–V）曲线。

词源 Etymology

Schottky 来自德国物理学家 Walter H. Schottky（瓦尔特·肖特基）的姓氏。他在电子与半导体相关现象（如势垒、发射与整流机制等）研究中贡献突出，因此以其名字命名的术语包括 Schottky barrier、Schottky diode 等；junction 则是“结、接合处”，合起来表示“肖特基型的金属—半导体结”。

相关词 Related Words

• Barrier
• Contact
• Diode
• Interface
• Junction
• Metal
• Rectifier
• Semiconductor

文学与经典教材出现 Literary Works

• Physics of Semiconductor Devices（S. M. Sze & Kwok K. Ng）——讨论金属—半导体接触与肖特基势垒/结的经典教材。
• Semiconductor Physics and Devices（Donald A. Neamen）——在二极管与接触章节中讲解肖特基结与其 I–V 特性。
• Solid State Electronic Devices（Ben G. Streetman & Sanjay Banerjee）——介绍整流结类型，包含肖特基结与应用。
• Semiconductor Device Fundamentals（Robert F. Pierret）——以器件物理角度分析金属—半导体结与势垒形成。