Tight-binding Model

释义 Definition

紧束缚模型（tight-binding model）：凝聚态物理/固体物理中一种近似方法，用来描述晶体中电子的能带结构。它假设电子主要局域在原子或格点附近，并通过相邻格点之间的“跃迁/跳跃”（hopping）产生能带与色散关系（常用于晶格、半导体、石墨烯等体系）。

发音 Pronunciation (IPA)

/ˌtaɪt ˈbaɪndɪŋ ˈmɑːdəl/

例句 Examples

The tight-binding model is a simple way to estimate electronic bands.
紧束缚模型是一种估算电子能带的简便方法。

Using a tight-binding model with nearest-neighbor hopping, we can reproduce the band structure near the Dirac point.
使用只考虑最近邻跃迁的紧束缚模型，我们可以重现实验中狄拉克点附近的能带结构。

词源 Etymology

tight-binding 字面意思是“紧密束缚”：指电子波函数主要“贴”在原子/格点附近、局域性强；model 表示一种用于计算与解释的理论模型。该术语在20世纪固体能带理论发展中逐渐固定，用来与更偏向“近自由电子（nearly free electron）”的思路相对。

相关词 Related Words

• Band Structure
• Bloch Theorem
• Hopping
• Lattice
• Nearest-neighbor
• Hamiltonian
• Brillouin Zone
• Wannier Function
• Nearly Free Electron Model

文学与典籍出现 Literary Works

• Solid State Physics（Ashcroft & Mermin）——以紧束缚近似讨论能带与晶格中的电子态。
• Introduction to Solid State Physics（Charles Kittel，《固体物理导论》）——介绍紧束缚思想并与其他近似对比。
• Electronic Structure and the Properties of Solids（Walter A. Harrison）——系统使用紧束缚参数化来描述材料电子结构。
• Slater & Koster (1954), “Simplified LCAO Method for the Periodic Potential Problem”——紧束缚参数（常称 Slater–Koster 参数）在材料计算中影响深远。