III-V 半导体：由元素周期表中第 III 族（13 族，如镓 Ga、铟 In）与第 V 族（15 族，如砷 As、磷 P、氮 N）元素化合形成的化合物半导体材料类别。常见特点是高电子迁移率、可实现直接带隙（许多材料），因此广泛用于高速电子器件与光电子器件（如激光器、LED、光探测器、射频器件）。
（注：也存在 II-VI 半导体等其他族别化合物半导体。）
/ˌθriː ˈfaɪv ˌsɛmɪkənˈdʌktər/
III-V semiconductors are widely used in LEDs and laser diodes.
III-V 半导体被广泛用于 LED 和激光二极管。
Because many III-V semiconductors have a direct bandgap and high electron mobility, they are preferred for optoelectronic devices and high-frequency amplifiers.
由于许多 III-V 半导体具有直接带隙和较高的电子迁移率，它们常被优先用于光电子器件与高频放大器。
“III-V” 来自早期元素周期表的主族编号：III 族与 V 族元素形成化合物（如 GaAs、InP、GaN 等），因此称为 III-V 化合物半导体。这一命名方式在半导体材料学与器件工程领域沿用至今，用于快速指代材料体系与典型性质（如带隙类型、可用于发光等）。
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